6月5日，上海交通大学无锡光子芯片研究院（CHIPX）传来重大喜讯——国内首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在无锡正式下线，同时实现超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片规模化量产。这一突破标志着我国在高端光电子核心器件领域迈入国际先进行列，成功实现从"技术跟跑"到"产业领跑"的历史性跨越。

突破"卡脖子"难题 中试线打通量产瓶颈

作为光量子计算的核心硬件，光子芯片的产业化一直是全球科技竞争的焦点。此前，我国因缺乏共性关键工艺技术平台，实验室成果难以转化为量产产品，成为制约产业发展的"卡脖子"难题。

2022年12月，CHIPX启动国内首条光子芯片中试线建设，并于2024年9月正式启用。该中试线集研发、设计、加工、应用于一体，配备110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖光刻、薄膜沉积、刻蚀、封装等全流程工艺。此次首片6寸晶圆成功下线，不仅验证了中试线的量产能力，更标志着我国在光子芯片集成工艺上取得关键突破。

攻克三大技术难题 性能指标国际领先

薄膜铌酸锂材料因具有超快电光效应、高带宽、低功耗等优势，被视为5G通信、量子计算等领域的下一代核心材料。然而，其大尺寸晶圆制备面临纳米级加工精度控制、薄膜沉积均匀性、刻蚀速率一致性等三大世界级难题。

CHIPX工艺团队通过自主创新，成功开发芯片设计、工艺方案与设备系统的协同适配技术，打通从光刻图形化、精密刻蚀到封装测试的全制程工艺。在6寸铌酸锂晶圆上，团队实现110nm高精度波导刻蚀，并通过步进式光刻技术完成高均一性、纳米级波导与复杂电极结构的跨尺度集成，达到国际顶尖制程水平。

最终，高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的关键指标全面领先：

• 调制带宽突破110GHz，刷新国际高速光互连带宽纪录；

• 插入损耗＜3.5dB，波导损耗＜0.2dB/cm，大幅提升光传输效率；

• 调制效率达1.9 V·cm，显著优化电光转换效率。

赋能产业生态 PDK设计体系开放共享

依托中试线平台，CHIPX具备年产12000片晶圆的量产能力，可为合作伙伴提供**"低成本、快速迭代、规模化量产"**的解决方案。

此外，研究院近期将发布PDK（工艺设计套件），将本次核心工艺参数与器件模型开放共享。该PDK集成无源耦合器、分束器、电光调制器等基础元件模型，并涵盖多物理场协同仿真模块，构建标准化光子芯片设计体系。未来，研究院将面向高校、科研院所及企业，提供从概念设计到流片验证再到量产的全链条服务，加速创新成果转化。

"此次突破不仅意味着我国在光子芯片领域跻身国际第一梯队，更将为量子信息、通信等战略性产业提供自主可控的核心技术支撑。"CHIPX相关负责人表示，下一步将携手产业链伙伴，推动光子芯片规模化应用，助力我国在全球量子科技竞争中占据制高点。

（完）